ข้อมูลจากบทคัดย่อ
ฟิล์ม nanocrystalline FeSi₂ ถูกเคลือบบน Si(111) ด้วย facing-target sputtering ที่อุณหภูมิห้อง แล้วอบในอากาศ 300 องศาเซลเซียส 2, 4 และ 6 ชั่วโมง เมื่ออบนานขึ้น peak XRD เข้มและแคบขึ้นเล็กน้อย ผลึกกระจายสม่ำเสมอขึ้นและตำหนิลด แต่ความขรุขระเพิ่มจาก 1.483 เป็น 2.304 นาโนเมตร มุมสัมผัสเพิ่มจาก 100.8 เป็น 103.5 องศา และความแข็งเพิ่มเพียง 11.06 เป็นราว 11.47 GPa สรุปว่าระยะอบมีผลเล็กน้อยต่อสมบัติที่วัด งานช่วยเลือกกระบวนการ แต่ยังต้องเชื่อมกับสมบัติไฟฟ้า ออปติก การยึดเกาะ และความทนอุปกรณ์ตามเป้าหมายใช้งาน
เหตุผลที่อยู่ในฐานติดตาม
ระเบียนนี้ได้รับ Impact Signal 73/100 จากความใหม่ แหล่งเผยแพร่ ความร่วมมือ และสัญญาณในข้อมูลบรรณานุกรม คะแนนนี้ใช้จัดลำดับการติดตาม ไม่ใช่การตัดสินคุณภาพงานวิจัย
ประเด็นที่เกี่ยวข้อง: Semiconductor materials and interfaces · Thin-Film Transistor Technologies · Silicon Nanostructures and Photoluminescence
บทบาทของนักวิจัยและสถาบันไทย
Nattakorn Borwornpornmetee · Thitirat Saenchantha · Thanagorn Khuanpanya · Boonchoat Paosawatyanyong · Nathaporn Promros · King Mongkut's Institute of Technology Ladkrabang · Vidyasirimedhi Institute of Science and Technology
ข้อจำกัดของข้อมูล
หน้านี้เป็นระเบียนบรรณานุกรมและข้อมูลจากบทคัดย่อ ยังไม่ใช่บทวิเคราะห์ฉบับเต็มหรือการประเมินคุณภาพงานวิจัย ควรตรวจสอบ DOI และเอกสารต้นฉบับก่อนนำไปอ้างอิง