ข้อมูลจากบทคัดย่อ
ยังไม่มีสรุปภาษาไทยสำหรับระเบียนนี้
ด้านล่างเป็นบทคัดย่อต้นฉบับภาษาอังกฤษจากข้อมูลบรรณานุกรม โปรดตรวจบทความต้นฉบับก่อนอ้างอิง
In this research we present the scintillation characteristics of Eu 2+ -doped TlSr 2 Br 5 single crystals for radiation detection applications. These scintillators were grown from the melt using the Bridgman method. A comprehensive set of characterization techniques was employed to evaluate the performance of this scintillator, including X-ray excited luminescence, photoluminescence, thermoluminescence, scintillation light yield, energy resolution, and decay time measurements. A comparison between Eu 2+ -doped and undoped TlSr 2 Br 5 crystals revealed no significant improvement in light yield, energy resolution, and decay characteristics upon doping. Thermoluminescence analysis confirmed the presence of intermediate and deep trap centers in pure and Eu 2+ -doped samples. These trap centers likely act as carrier trapping sites, delaying radiative recombination and thereby limiting scintillation efficiency. This study also highlights the critical role of trap centers in governing the scintillation performance of this material. Improvement in the scintillation performance of this material could be achieved through appropriate defect engineering strategies.
เหตุผลที่อยู่ในฐานติดตาม
ระเบียนนี้ได้รับ Impact Signal 75/100 จากความใหม่ แหล่งเผยแพร่ ความร่วมมือ และสัญญาณในข้อมูลบรรณานุกรม คะแนนนี้ใช้จัดลำดับการติดตาม ไม่ใช่การตัดสินคุณภาพงานวิจัย
ประเด็นที่เกี่ยวข้อง: Radiation Detection and Scintillator Technologies · Advanced Semiconductor Detectors and Materials · Optical properties and cooling technologies in crystalline materials
บทบาทของนักวิจัยและสถาบันไทย
J. Kaewkhao · S. Kothan · Nakhon Pathom Rajabhat University · Chiang Mai University
ข้อจำกัดของข้อมูล
หน้านี้เป็นระเบียนบรรณานุกรมและข้อมูลจากบทคัดย่อ ยังไม่ใช่บทวิเคราะห์ฉบับเต็มหรือการประเมินคุณภาพงานวิจัย ควรตรวจสอบ DOI และเอกสารต้นฉบับก่อนนำไปอ้างอิง